TI OMAP4770

Uusi OMAP4470-mobiilipiiri yltää 1,8 gigahertsin kellotaajuuteen

Korealaisen Samsungin Galaxy S II kuuluu tämän hetken tehokkaimpiin älypuhelimiin mitä tulee prosessorin suorituskykyyn. Laitteestahan löytyy 1,2 gigahertsin tuplaydinsuoritin. Kehitys ei tietenkään pysähdy tähän, vaan tulevaisuudessa mobiililaitteissa nähdään vieläkin kovempia lukemia.

Eräs mahdollinen vaihtoehto vauhdittamaan tulevaisuuden älyluureja on Texas Instrumentsin uusi OMAP4470-piiri. Se kattaa kaksi ARM Cortex A9 MPCores -suoritinydintä, joiden kellotaajuus on mahdollista venyttää aina 1,8 gigahertsiin asti. Valmistajan mukaan suorittimella saavutetaan 80 prosentin nopeuslisäys verkkoselaamiseen aiemman sukupolven OMAP-piiriin nähden.

Piiriin on sisällytetty myös kaksi ARM Cortex-M3-ydintä, joilla pyritään takaamaan energiatehokkuus ja reaaliaikainen vaste. Graafisesta suorituskyvystä OMAP4470:ssa huolehtii PowerVR SGX544 -siru.

OMAP4470 tukee yhteensä kolmea näyttöä, joiden tarkkuus voi olla maksimissaan 2048 x 1536 pikseliä. HDMI:n kautta siitä on lisäksi mahdollista saada ulos 3D-kuvaa.

Uuden piirin odotetaan saapuvan markkinoille jo vuoden 2011 loppupuoliskon aikana. Markkinoilla siihen perustuvia laitteita nähdään kuitenkin vasta vuoden 2012 puolella.

Lähde: Engadget